射频开关
泰高技术的高功率射频(RF GaN)开关与控制器完全集成,使开关易于使用,使用3.3 V或5.0 V电源。我们的产品可以更适合做工作在全宽带领域,与GaAS和SOI的开关相比,同时仍然提供低插入损耗和高隔离。
功率放大器
泰高技术采用GaN-On-SiC DHEMT 技术设计的功率晶体管,能够在500MHz至4.0GHz的频带内传输20W连续波。晶体管可以在较低的频率下使用,同时降低输出功率。输入和输出可以匹配,以获得所需频带的最佳功率和效率。
低噪声放大器
泰高技术砷化镓 (GaAs) 芯片工艺的功率低噪声放大器(LNA),提供高增益和线性度。通过简单的输入和输出匹配,该低噪声放大器具有极低噪声、极低插损、高增益的特点,高带宽可以针对不同频段的应用来进行调谐。
电源管理
泰高技术的GaN功率HEMT器件,可由任何标准12V PWM控制器或GaN FET专用的新一代6V PWM控制器直接驱动,无需外部VCC。该器件具有较低的输入/输出电容,允许以最小损耗在高频下进行切换。具有高击穿电压和高可靠性,它可以安全地用于提高效率和功率密度,同时降低系统的总体成本。
连接无线可能
泰高大功率氮化镓射频前端芯片,让你享受到更远距离及更高质量的无线连接

新能源汽车

使用 GaN 半导体为汽车行业变革提供燃料 全球运输系统正在经历一场戏剧性的演变,就像现代文明工业化期间蒸汽机的实施一样。 过去几年来,中国和全球的电动和混合动力汽车数量迅速增加,并持续加速增长。2016年电动汽车销量将达到50万辆,预计2040年将达6500万辆。伴随而来的用电量将增加 30,000% - 从 2016 年的 6TWh 增加到 2040 年的 1,800TWh,将占全球电力的 5%,所以需要改变电动汽车的效率、车辆充电的电价以及新的存储和效率解决方案。

数据中心

使用 GaN 半导体来扩展数据中心的功率和效率 数据中心运营商及其供应商需要在未来几年内随着全球 80 亿至 300 亿台联网设备的移动而以不同的方式思考和行动。随着物联网、IoT和人工AI将我们推向一个更加数据密集型的社会,我们需要重新考虑我们对数据中心风险、设计、电源和可持续性的设计,以实现全球企业责任。当今世界800万个数据中心占世界能源使用量的2%。但这正迅速趋势为5%。虽然按照当今的标准,大多数数据中心都被认为是相对节能的,但数据中心能源效率每提高 0.5%,就意义重大。

工业自动化

通过 GaN 半导体提高工业设备效率 现代制造企业需要响应新技术和能源需求,伴随着不可避免的演变到未来的工业4.0智能工厂。不断升级的电力使用和电力成本,为日益自动化的机器人和机动生产线供电,意味着制造商需要开发新的操作实践。如果希望保持竞争力就需要降低成本和增加收入,整个工厂需要提高能源效率,并且要保持全天候连续运行。
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深圳泰高技术发表最新200W大功率GaN 射频开关
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